Vishay SIHB35N60EF-GE3

Name: Vishay SIHB35N60EF-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

$ 2.95

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

Voir tous les prix

Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		SIHB35N60EF-GE3	1 000	1K	Tube				4,220	4,220
Verical	2	SIHB35N60EF-GE3	1 000	2			3,653	3,388	2,947	2,947
Arrow Electronics		SIHB35N60EF-GE3	1 000	1		5,966	3,653	3,388	2,947	2,947
TME	2	SIHB35N60EF-GE3	0	1		5,570	4,890	4,890	4,890	4,890	2h
TTI		SIHB35N60EF-GE3	0	1K	Tape & Reel				2,950	2,950	15h

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : -1.09%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

0 composant disponible

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIHB35N60EF-GE3.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

Future Electronics

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:

-1.09%

Powered by

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Vishay SIHB35N60EF-GE3 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 32A, 600V, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.084Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Vishay SIHB35N60EF-GE3

Newark

Images

Vishay

element14 APAC

TME

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :