Vishay SIA408DJ-T1-GE3
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-02-26
LTD Date2019-08-26
Pièces détachées
VishaySI1070X-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 1.2A, SC-89; Available until stocks are exhausted Alternative available
VishaySI1471DH-T1-E3
Single N-Channel 30 V 100 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-70-6
Diodes Inc.DMG3401LSN-7
Single P-Channel 30 V 85 mOhm 11.6 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Descriptions
Descriptions de Vishay SIA408DJ-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 30 V 0.036 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-70-6
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.5A, SC-70; Tran; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.5A, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance830 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation17.9 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.4 W
Rds On Max36 mΩ
Resistance36 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité