Vishay SI4431CDY-T1-E3
$ 0.456
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4431CDY-T1-E3CT-ND | 4 243 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| CoreStaff | ST40504636 | 14 | 1 | 10h | ||||||||
| TTI | SI4431CDY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 18h | |||||||
| Newark | SI4431CDY-T1-E3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SI4431CDY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
InfineonIRF7807VTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMC3028LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMN3024LSD-13
Mosfet, Dual, N-Ch, 30V, 6.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3024LSD-13
InfineonIRF7807VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7807VD2TRPBF
Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Descriptions
Descriptions de Vishay SI4431CDY-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 30 V 2.5 W 38 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:7A; On Resistance Rds(On):0.026Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V Rohs Compliant: No
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.006 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max32 mΩ
Rise Time89 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time38 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité