Vishay SI4408DY-T1-E3
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Pièces détachées
InfineonIRF7457TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF3717TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI4408DY-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 20 V 0.0045 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 20V, RDS(ON) 0.0035OHM, ID 14A, SO-8,PD 1.6W, VGS+/-20V,-55C
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:21A; On Resistance Rds(On):0.0045Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 mΩ
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time42 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité