Vishay SI4101DY-T1-GE3
$ 0.46
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4101DY-T1-GE3 | 4 215 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SI4101DY-T1-GE3 | 10 000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI4101DY-T1-GE3CT-ND | 4 749 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4101DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| TTI | SI4101DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 18h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
VishaySI4168DY-T1-GE3
Si4168DY Series 30 V 24 A 5.7 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
NXP SemiconductorsPSMN012-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Vishay SI4101DY-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
P-Channel 30V 25.7A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III
Small Signal Field-Effect Transistor, 25.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Vishay PMOS, Vds=30 V, 25.7 A, SO-8
MOSFET, P-CH, 30V, 25.7A, SOIC; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:25.7A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.19 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation6 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité