Vishay SI3474DV-T1-GE3
$ 0.188
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +31.13%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI3474DV-T1-GE3.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay SI3474DV-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonBSL606SNH6327XTSA1
2KW 20V 2.3V 4.1nC@ 5V 1N 60V 60m¦¸@ 10V 170mA 566pF@ 25V TSOP-6-6 , 3mm*1.5mm*1.1mm
VishaySI3993CDV-T1-GE3
SI3993CDV-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 2.3 A; 30 V; 6-Pin TSOP
InfineonIRFTS8342TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Descriptions
Descriptions de Vishay SI3474DV-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET, N CH, 100V, 3.8A, TSOP-6; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.102ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Pow
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +31.13%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance126 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance196 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max126 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI3474DV-T1-GE3.
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité