Vishay SI2393DS-T1-GE3

Name: Vishay SI2393DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI2393DS-T1-GE3

Transistor Mosfet P-ch 30V 7.5A 3-PIN SOT-23 T/r

$ 0.191

Production

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SI2393DS-T1-GE3	6 000	1		0,623	0,431	0,256	0,190	0,176
TME	2	SI2393DS-T1-GE3	171	1		0,580	0,437	0,223	0,152	0,144	4h
DigiKey	3	742-SI2393DS-T1-GE3CT-ND	15 055	1	Cut Tape	0,710	0,441	0,283	0,192	0,192
TTI		SI2393DS-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0,130	7h
Future Electronics		SI2393DS-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0,245

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 5 ans

Farnell

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-05-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Vishay SI2393DS-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet Japan

Single P-Channel 30 V 22.7 mOhm Surface Mount TrenchFET® Power Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.0227ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

Mosfet, P-Ch, 30V, 7.5A, Sot-23; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:7.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V Rohs Compliant: Yes |Vishay SI2393DS-T1-GE3

Newark

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Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :