Vishay SI2371EDS-T1-GE3

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Surface Mount
$ 0.127
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
SI2371EDS-T1-GE32 6701Cut Tape
Future ElectronicsSI2371EDS-T1-GE36 0003KTape & Reel
CoreStaffST636998602 8881
12h
RutronikTMOS334324 0003K
1h
VericalSI2371EDS-T1-GE31 80223

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI2371EDS-T1-GE3.

Farnell

Datasheet9 pagesIl y a 5 ans

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-12.08%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Vishay SI2371EDS-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Détails
Diodes Inc.DMP3130L-7
P-Channel 30 V 77 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Détails
VishaySI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 | Siliconix / Vishay SI2336DS-T1-GE3
Détails
Diodes Inc.ZXMN3B01FTA
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.24Ω; ID=2A SOT23
Détails
STMicroelectronicsSTR2P3LLH6
P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
Détails
InfineonBSS316NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 160 mOhm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI2371EDS-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET, P-CH, 30V, 4.8A, SOT-23; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:4.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V RoHS Compliant: Yes
Newark
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Semicontronic

Images

element14 APAC
TME
Future Electronics
TME

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI2371EDS-T1-GE3.