Vishay SI2323DDS-T1-GE3
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Vishay SI2323DDS-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Surface Mount
SI2323DDS-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.3 A, 20 V, 3-PIN TO-236
Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P-CH, -20V, -5.3A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -5.3A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 1.7W; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.16 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation960 mW
Rds On Max39 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité