Vishay SI1900DL-T1-E3
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Obsolete
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMP3030SN-7
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 700 mA, 250 Milliohms, SC-59, 3 Pins, Surface Mount
VishaySI1028X-T1-GE3
VISHAY SI1028X-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI1900DL-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N-CH 30V 0.59A 6-Pin SOT-363 T/R
Dual N-Channel 30 V 0.48 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-363
Transistor, MOSFET, 2N-Channel, 30V, 0.59A, SC-70-6, SMD
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 0.63A, SOT-363 | Siliconix / Vishay SI1900DL-T1-E3
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SC-70; Trans; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:590mA; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.41ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight7.512624 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)590 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation270 mW
Rds On Max480 mΩ
Resistance480 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité