Vishay IRFU9310PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
onsemiSSU1N50BTU
Transistor,mosfet,n-Channel,500V V(Br)Dss,1.3A I(D),to-251Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi SSU1N50BTU
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFU9310PBF fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 400 V 7 Ohms Through Hole Power Mosfet - TO-251
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, P, -400V, -1.8A, I-PAK; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.8A; Drain Source Voltage Vds: -400V; On Resistance Rds(on): 7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; Power
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-400 V
Drain to Source Resistance7 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max7 Ω
Resistance7 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Lead Length9.65 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité