onsemi FDU3N40TU
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Pièces de rechange
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Stock
438,654
160,534
Authorized Distributors
4
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
400 V
Continuous Drain Current (ID)
2 A
2.1 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
3.4 Ω
3.4 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
-
Power Dissipation
30 W
-
Input Capacitance
225 pF
140 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-02-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 22 hours ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 22 hours ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDU3N40TU fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 400V, 2A, 3.4Ω, IPAK
N-Channel 400 V 2 A 3400 mOhm Mosfet - IPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MOSFET, N-CH, 400V, 2A, 150DEG C, 30W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Uf 400V 3.4Ohm Ipak Rohs Compliant: Yes
场效应管, MOSFET, N沟道, 400V, 2A, 150度 C, 30W;
onsemi NMOS UniFET, Vds=400 V, 2 A, IPAK (TO-251), , 3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance225 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation30 W
Rds On Max3.4 Ω
Resistance3.4 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height7.57 mm
Length6.8 mm
Width2.5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité