Vishay IRFPC50LCPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW19NM60N
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.26 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW18NM60ND
N-Channel 650 V 0.29 Ohm 130 W Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFPC50LCPBF fournies par ses distributeurs.
HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
NCHAN, TO-247AC, 600V IRFPC50LCPBF
MOSFET N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max600 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time32 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité