STMicroelectronics STW24N60DM2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW26NM60ND
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
VishaySIHG22N60E-GE3
E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
VishaySIHG22N60E-E3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
STMicroelectronicsSTW27N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
VishaySIHG22N60S-E3
250W 30V 4V 75nC@ 10V 1N 600V 190m¦¸@ 10V 22A 2.81nF@ 25V TO-247 15.87mm*5.31mm*20.82mm
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW24N60DM2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3
N-CHANNEL 600 V, 0.175 OHM TYP, 18 A FDMESH II PLUS LOW QG POWER MOSFET IN TO-247 PACKAGE Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW24N60DM2
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max200 mΩ
Rise Time8.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant