Vishay IRFBC30ALPBF
$ 0.812
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | IRFBC30ALPBF | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Avnet | IRFBC30ALPBF | 0 | 1K | 13h | ||||||||
| TTI Asia | IRFBC30ALPBF | Contact | 2h | |||||||||
| TTI Europe | IRFBC30ALPBF | 0 | 1K | Tube | 14h | |||||||
| Mouser | 844-IRFBC30ALPBF | 432 | 1 | Tube |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.14%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay IRFBC30ALPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-05-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB4NK60Z-1
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI6N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFBC30ALPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 600 V 3.6 A 74 W Through Hole Power MOSFET - TO-262
74W(Tc) 30V 4.5V@ 250¦ÌA 23nC@ 10 V 1N 600V 2.2¦¸@ 2.2A,10V 3.6A 510pF@25V I2PAK 10.67mm*4.83mm*9.65mm
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
NCHAN, SMD-220, 600V IRFBC30ALPBF
N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.14%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.387001 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Resistance2.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max2.2 Ω
Rise Time13 ns
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité