STMicroelectronics STI4N62K3
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB4NK60Z-1
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
onsemiFQI5N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STI4N62K3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAK package
Power MOSFET, N Channel, 620 V, 3.8 A, 1.7 ohm, TO-262, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 22nC@ 10 V 1N 620V 2¦¸@ 1.9A,10V 3.8A 550pF@50V I2PAK 10mm*4.4mm*8.95mm
3.8 A 620 V 1.95 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STI4N62K3
Power MOSFETs, 620V, 3.8A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.95 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2 Ω
Rise Time9 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant