Vishay IRF624PBF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Descriptions
Descriptions de Vishay IRF624PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 250 V 1.1 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 250V, RDS(ON) 1.1 OHMS, ID 4.4A, TO-220AB, PD 50W, VGS +/-20V
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220 250V 4.4A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Transistor Case Style:TO-220AB; Junction to Case Thermal Resistance A:2.5°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:1.1kohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:50W; Pulse Current Idm:14A; Transistor Type:
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance260 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max1.1 Ω
Resistance1.1 Ω
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité