Toshiba TPN2R203NCL1Q(M

Name: Toshiba TPN2R203NCL1Q(M
Brand: Toshiba
SKU: TPN2R203NCL1Q(M

30V 45A 700mW 2.2mΩ@10V, 22.5A 2.3V@500uA 1 N-Channel TSON-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS

$ 0.247

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		TPN2R203NC,L1Q(M	1 000	1	Cut Tape	0,201	0,201	0,201	0,201	0,201
Verical		TPN2R203NC,L1Q(M	1 000	249					0,294	0,294
TTI Europe	2	TPN2R203NCL1Q(M	0	5K	Tape & Reel					0,259*	1d
element14 APAC	2	TPN2R203NC,L1Q(M	0	1	Cut Tape	1,990*	1,277*	0,854*	0,573*	0,567*	2h
Farnell	2	TPN2R203NC,L1Q(M	0	1	Cut Tape	2,011*	1,285*	0,853*	0,613*	0,574*	8h

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 6 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-10-31

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Descriptions

Descriptions de Toshiba TPN2R203NCL1Q(M fournies par ses distributeurs.

30V 45A 700mW 2.2mΩ@10V,22.5A 2.3V@500uA 1 N-Channel TSON-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS

ODG (Origin Data Global)

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 45A, TSON;

element14 APAC

Mosfet, N-Ch, 30V, 100A, Tson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.3V Rohs Compliant: Yes |Toshiba TPN2R203NC, L1Q(M

Newark

Alias du fabricant

Toshiba possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Toshiba peut également être connu sous les noms suivants :