Toshiba SSM3K361R,LF
$ 0.187
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SSM3K361R,LF | 3 000 | 3K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | SSM3K361R,LF | 2 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SSM3K361RLFCT-ND | 830 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SSM3K361RLF | 0 | 3K | Tape & Reel | 3d | |||||||
| HQonline | DS0075422 | 6 032 | 5 | 4d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-04-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN2A14FTA
ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
VishaySI2316BDS-T1-GE3
Si2316BDS Series N-Channel 30 V 50 mOhm 1.66 W Surface Mount Mosfet - TO-236
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Descriptions
Descriptions de Toshiba SSM3K361R,LF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Small-signal Nch MOSFET SOT23F Qg: 3.2nC
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Field Effect Tube (MOSFET)
SOT-23-3 MOSFETs ROHS
TOSHIBA SOT-23
Alias du fabricant
Toshiba possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Toshiba peut également être connu sous les noms suivants :
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance69 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance430 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.2 W
Rds On Max69 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height880 µm
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