Texas Instruments CSD87381P
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Stock
863,381
392,322
Authorized Distributors
1
0
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
LGA
LGA
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16.3 mΩ
16.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
4.5 V
Power Dissipation
4 W
4 W
Input Capacitance
564 pF
564 pF
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD87381P.
Kit d’évaluation
Modèles de référence
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD87381P fournies par ses distributeurs.
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, 3 mm x 2.5 mm LGA, 15 A 5-PTAB -55 to 150
Mosfet, N-Ch, 30V, 15A, Lga-5 Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD87381P
30V 15A 4W 16.3mΩ@8A,8V 2 N-Channel(Half Bridge) PTAB-5 MOSFETs ROHS
MOSFET,CANAL N, 30V, 15A, LGA-5;
Switching Regulator, 40A, 1500kHz Switching Freq-Max, PXSS5
XSTR MOSFET DUAL N-CH POWER BLOCK-II
Synchronous Buck NexFET Power Block 5-Pin PTAB T/R
High Frequency Synchronous Power Module
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageLGA
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins5
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance564 pF
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current40 A
Max Power Dissipation4 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Outputs1
Output Current per Channel15 A
Power Dissipation4 W
Rds On Max16.3 mΩ
Rise Time16.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16.8 ns
Dimensions
Height480 µm
Length3 mm
Thickness400 µm
Width2.5 mm