Texas Instruments CSD18534KCS
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 16 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD18534KCS.
Modèles de référence
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP80N70F6
N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Through Hole
InfineonIPP040N06N3GXKSA1
188W(Tc) 20V 4V@ 90¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 60V 4m¦¸@ 90A,10V 11nF@30V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD18534KCS fournies par ses distributeurs.
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 9.5 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A, TO-220-3
60V N-CH NexFET MOSFET, 9.5mR Rds(on), 100A ID, TO-220
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
107W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 24nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 9.5mΩ@ 40A,10V 45A，100A 1.88nF@30V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.51mm
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)73 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.88 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation98 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time4.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time10.4 ns
Turn-On Delay Time4.2 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité