STMicroelectronics STP80N70F6
$ 1.03
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STP80N70F6 | 1 000 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | STP80N70F6 | 0 | 1K | 5h | ||||||||
| Component Stockers USA | STP80N70F6 | 968 | 17h | |||||||||
| Win Source | WS-STP80N70F6 | 20 | 30 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP80N70F6 | 10 408 | 7 | Tube | 3h |
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
InfineonIPP057N08N3GXKSA1
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
STMicroelectronicsSTP80NF55-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP80N70F6 fournies par ses distributeurs.
N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 68 V 0.008 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 68V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
110W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 99nC@ 10 V 1N 68V 8m¦¸@ 48A,10V 96A 5.85nF@25V TO-220
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)96 A
Drain to Source Breakdown Voltage68 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant