Taiwan Semiconductor MUR860
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Fiche technique officielleIl y a 2 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80
Introduction Date2004-08-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de Taiwan Semiconductor MUR860 fournies par ses distributeurs.
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC
Taiwan Semiconductor MUR860 ESD diode 420V 8mA TO 220AC Tube
Diode Ultra-Fast Recovery 600V 8A 3-Pin TO-220AC Tube
50ns 8A 600V High Efficient Recovery Rectifier
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
TO-220A 8A 600V 50NS GP SWITCH
Rectifier, Single, 8A, 600V, To-220Ac; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(Av):8A; Diode Configuration:Single; Forward Voltage Vf Max:1.5V; Reverse Recovery Time Trr Max:50Ns; Forward Surge Current Ifsm Rohs Compliant: Yes |Taiwan Semiconductor MUR860.
Alias du fabricant
Taiwan Semiconductor possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Taiwan Semiconductor peut également être connu sous les noms suivants :
- TAIWAN SEMI
- TSC
- TAIWAN
- Taiwan Semiconductor Corporation
- TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- TAIWAN SEM
- TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF
- TAIWAN SEMICOND
- TAIW
- Taiwan Semiconductor Company
- Taiwan Semiconductor(Taiwan Semicon)
- SEMICONDUCTO
- Taiwan Semiconductors
- Taiwan Semiconduct
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Taiwan Semiconductor Co
- Taiwan Semiconductor(TSC)
- TWAN
- SEMICONDCTOR
- Won-Top Electronics
- TAIWAN SEMICONDUSTOR
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
- Taiwan Semiconductor Europe GmbH
- TAWIN SEMI
- TAIWAN OHM
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Element ConfigurationSingle
Forward Current8 A
Forward Voltage1.7 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)100 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current8 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)600 V
Max Reverse Leakage Current5 µA
Max Surge Current100 A
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Peak Reverse Current10 µA
Power Dissipation400 mW
Recovery Time50 ns
Reverse Recovery Time50 ns
Reverse Standoff Voltage600 V
Reverse Voltage600 V
Dimensions
Height8.24 mm
Length10.5 mm
Width4.7 mm