STMicroelectronics STWA57N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
VishaySIHG47N65E-GE3
Mosfet, N-Ch, 650V, 47A, To-247Ac Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG47N65E-GE3
onsemiFCH077N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 54 A, 77 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW58N65DM2AG
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STWA57N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
Mosfet, N-Ch, 650V, 42A, To-247Ll Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO247 / N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 650V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max63 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time73 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant