STMicroelectronics STW58N65DM2AG
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW58N60DM2AG
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 50A, 360W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW58N60DM2AG
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTWA57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH077N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 54 A, 77 mΩ, TO-247
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW58N65DM2AG fournies par ses distributeurs.
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
N Channel 650 V 48 A 360 W 68 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TO-247
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW58N65DM2AG
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 48A, TO247;
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA
360W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 65m¦¸@ 24A,10V 48A 4.1nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm*15.75mm*5.15mm
MOSFET, N-CH, 650V, 48A, TO247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation360 W
Rds On Max65 mΩ
Schedule B8541290080
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