STMicroelectronics STW6N120K3
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STW6N120K3 | 0 | 600 | 6d | ||||||||
| Farnell | STW6N120K3 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Microchip USA | STW6N120K3 | 261 | 600 | Tray | 2h | |||||||
| Win Source | WS-STW6N120K3 | 1 291 | 9 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW6N120K3 | 29 869 | 7 | Tube | 10h |
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Pièces de rechange
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Pièces détachées
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW6N120K3 fournies par ses distributeurs.
N-channel 1200 V, 1.95 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
6 A 1200 V 2.4 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247
MOSFET, N CH, 1.2KV, 6A, 1.95OHM, TO-247
N-Ch+Z-Dio 1200V 6A 150W 2,4R TO247
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 1.2KV, 6A, 1.95OHM, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 1.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs:
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance2.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max2.4 Ω
Resistance2.4 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant