STMicroelectronics STW69N65M5-4
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
onsemiFCH023N65S3L4
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 75 A, 23 mΩ, TO-247 4lead
STMicroelectronicsSTW57N65M5-4
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
STMicroelectronicsSTW56N60M2-4
N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
onsemiFCH041N65EFL4
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247 4L
InfineonIPZ60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 / N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW69N65M5-4 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW69N65M5-4 N-channel MOSFET Transistor, 58 A, 710 V, 4-Pin TO-247
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 58 A, 45 Milliohms, TO-247, 4 Pins, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time11.5 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height21.1 mm
Length15.9 mm
Width5.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant