STMicroelectronics STW62N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW69N65M5
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW60N65M5
N-channel 650 V, 0.049 Ohm, 46 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW60R040C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 40 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW62N65M5 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW62N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 46 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 Ohm typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, 46A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:46A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW62N65M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance49 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time101 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant