onsemi FCH47N60N
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-06-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW60R070P6XKSA1
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, / N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW56NM60N
N-channel 600 V, 0.05 Ohm, 45 A, TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FCH47N60N fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 47 A, 62 mΩ, TO-247
FCH47N60N Series 600 V 47 A 62 mOhm N-Channel SuperMos Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET,N CH,600V,47A,TO247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.0515ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:368W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance6.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation368 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation368 W
Rds On Max62 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.95 mm
Width5.03 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité