STMicroelectronics STW40N65M2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
STMicroelectronicsSTW36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R095C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW40N65M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STW40N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 32 A, 650 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 32A, 250W, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 32A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.355 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max99 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96.5 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant