STMicroelectronics STW36N55M5
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW36N55M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STW36N55M5 N-channel MOSFET Transistor, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 550V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 550V, 33A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:550V; Continuous Drain Current Id:33A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW36N55M5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage550 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max80 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time56 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant