STMicroelectronics STW26NM60N
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247
InfineonIPW60R160P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 160 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
InfineonIPW50R199CPFKSA1
Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 550 V, 199 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW26NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
STW26NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 600 V, 3-PIN TO-247
Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmeshseries, Vds=600 V, 20 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 600V, 20A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max165 mΩ
Resistance165 mΩ
Rise Time25 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant