Infineon IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 2.09
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPW65R150CFDFKSA1188 880
5h
FarnellIPW65R150CFDFKSA101
1d
Microchip USAIPW65R150CFDFKSA1182600Tube
21h
VericalIPW65R150CFDFKSA1188 880129
Component Stockers USAIPW65R150CFDFKSA1209
19h

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPW65R150CFDFKSA1
InfineonIPW65R150CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 2.09
$ 2.557
Stock
472,259
143,186
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
22.4 A
22.4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
150 mΩ
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
30 V
Power Dissipation
195.3 W
195.3 W
Input Capacitance
2.34 nF
2.34 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 / N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Détails
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
Détails
InfineonIPW60R160P6FKSA1
Transistor MOSFET N-Channel 600V 23.8A 3-Pin TO-247 Tube
Détails
STMicroelectronicsSTW32NM50N
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Détails
STMicroelectronicsSTW28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
Détails
InfineonSPW20N60S5FKSA1
Single N-Channel 600 V 190 mOhm 79 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-247-3, PG-TO247-3, RoHS
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPW65R150CFDFKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Semicontronic
Mosfet, N-Ch, 650V, 22.4A, To-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R150CFDFKSA1
Newark
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Images

Newark
Farnell
TME
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000907038