STMicroelectronics STW11NM80
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW15NM60ND
N-channel 600 V, 0.27 Ohm typ., 14 A FDmesh II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW13N95K3
N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW11NM80 fournies par ses distributeurs.
N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh Power MOSFET in TO-247
Transistor MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
STW11NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 800V, 11A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant