STMicroelectronics STW15NM60ND
$ 3.138
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-8452-5-ND | 372 | 1 | Tube | ||||||||
| Farnell | STW15NM60ND | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | STW15NM60ND | 302 | 300 | Tray | 22h | |||||||
| Win Source | WS-STW15NM60ND | 7 000 | 10 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW15NM60ND | 23 592 | 7 | Tube | 6h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW21NM60ND
MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW15NM60ND fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.27 Ohm typ., 14 A FDmesh II Power MOSFET in TO-247 package
N-CHANNEL 600 V-0.27 OHM-14 A-TO-247 FDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N CH, 600V, 14A, TO 247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.27ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 mΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant