STMicroelectronics STU85N3LH5
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU85N3LH5 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 30 V 5.4 mOhm Through Hole StripFET V Power Mosfet - IPAK
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK
STU85N3LH5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 30 V, 3-PIN TO-251
30 V, 80 A, 0.0042 OHM, IPAK N-CHANNEL STRIPFET V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Mosfet, N Channel, 30V, 80A, Ipak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU85N3LH5
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance1.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max5.4 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time23.6 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant