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STMicroelectronics STU4N62K3

N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
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Datasheet19 pagesIl y a 14 ans

Farnell

STMicroelectronics

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Pièces détachées

STMicroelectronicsSTU3N62K3
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
STMicroelectronicsSTU6N62K3
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK
N-Channel Power MOSFET, SuperFET® II, FAST, 600V, 4.5A, 900mΩ, IPAK
STMicroelectronicsSTD5NM60-1
N-Channel 600V - 0.9Ohm - 8A MDmesh(TM) POWER MOSFET
Transistor MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin TO-251 T/R
onsemiRFD16N05
Trans MOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin (3+Tab) TO-251 Rail

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STU4N62K3 fournies par ses distributeurs.

N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 22nC@ 10 V 1individualNChannel 620V 2Ω@ 1.9A,10V 3.8A 550pF@50V IPAK,TO-251 Through hole mounting 8.4mm(height)
620 V, 3.8 A, 1.8 OHM, IPAK SUPERMESH3 N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 620V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, IPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 620V; On Resistance Rds(on): 1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics