STMicroelectronics STD5NM60-1
$ 1.25
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STD5NM60-1 | 3 000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | STD5NM60-1 | 3 000 | 3K | |||||||||
| TME | STD5NM60-1 | 123 | 1 | 18h | ||||||||
| DigiKey | 497-STD5NM60-1-ND | 62 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STD5NM60-1 | 0 | 3K | 6h |
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Modèles CAO
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD7NM80-1
N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in IPAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD5NM60-1 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 600V - 0.9Ohm - 8A MDmesh(TM) POWER MOSFET
N-CHANNEL 650V @TJMAX-0.9 OHM-8A IPAK MDMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Mosfet, N Channel, 600V, 5A, To-251; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD5NM60-1
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation96 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant