STMicroelectronics STU12N60M2
$ 0.758
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STU12N60M2 | 3 000 | 30 | Tube | ||||||||
| Avnet | STU12N60M2 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Mouser | 511-STU12N60M2 | 2 951 | 1 | Tube | ||||||||
| HQonline | DS0077634 | 3 000 | 20 | >1w | ||||||||
| Microchip USA | STU12N60M2 | 361 | 3K | Tube | 7d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTU13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package
STMicroelectronicsSTU10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in IPAK package
onsemiNDD60N550U1-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
onsemiNDD60N550U1-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
STMicroelectronicsSTU16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
International RectifierIPU60R600C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 / Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU12N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
N-Channel 600 V 450 mOhm Through Hole MDmesh M2 Power Mosfet - IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance538 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max450 mΩ
Schedule B8541290080
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