STMicroelectronics STU10NM60N

N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in IPAK package
$ 1.325
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
STU10NM60N1651
4h
AvnetSTU10NM60N03K
3d
Arrow ElectronicsSTU10NM60N03K
FarnellSTU10NM60N01
14h
Mouser511-STU10NM60N2 9981Tube

Fiches techniques et documents

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STMicroelectronics

Datasheet28 pagesIl y a 13 ans

Newark

TME

Future Electronics

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Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Détails
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Détails
STMicroelectronicsSTU13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTU10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Détails
onsemiNDD60N550U1-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
Détails
onsemiNDD60N550U1-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STU10NM60N fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in IPAK package
STMicroelectronics
Single N-Channel 650 V 0.55 Ohm 19 nC 70 W MDmesh Mosfet - TO-262
Future Electronics
70W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 19nC@ 10 V 1N 600V 550m¦¸@ 4A,10V 10A 540pF@50V IPAK,TO-251
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Verical
MOSFET N-Channel 600V 10A IPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
IHS
Power MOSFETs, 600V, 10A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CH, 600V, 8A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.53ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
element14 APAC

Images

TME
LZChips

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics