STMicroelectronics STU10N60M2
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Pièces détachées
International RectifierIPU60R600C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 / Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
STMicroelectronicsSTU12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
onsemiNDD60N550U1-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
onsemiNDD60N550U1-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STU10N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU10N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin IPAK Tube
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D²PAK | MOSFET N-CH 600V IPAK
Dfd Thyr Triac & Rectifier |Stmicroelectronics STU10N60M2
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant