STMicroelectronics STR2N2VH5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySI2302DDS-T1-GE3
VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
InfineonBSS806NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
InfineonBSS806NEH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.057ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STR2N2VH5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 20 V, 0.025 Ohm typ., 2.3 A STripFET H5 Power MOSFET in SOT-23 package
N-Channel 20 V 0.03 Ohm 0.35 W SMT Power Mosfet - SOT-23-3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.3 A, 30 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
STR2N2VH5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.3 A, 20 V, 3-PIN SOT-23
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET, N-CH, 20V, 2.3A, 0.35W, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance367 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation350 mW
Rds On Max30 mΩ
Resistance30 mΩ
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.04 mm
Width1.75 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant