STMicroelectronics STP8NK100Z
$ 2.44
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -13.15%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STP8NK100Z.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STP8NK100Z, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP8NK100Z fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP8NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Through Hole
N-CHANNEL 1000V - 1.60Ohm - 6.5A - TO-220 - TO-220FP
Power MOSFET Transistors N-Ch 1000 V 1.60 Ohm 6.5 A SuperMESH
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 1.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 1000V, 6A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.3A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -13.15%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance1.85 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max1.85 Ω
Resistance1.85 Ω
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STP8NK100Z.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant