onsemi FQP6N80

Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Farnell
2
FQP6N80.01
1d
element14 APACFQP6N8001
23h
Win SourceWS-FQP6N8012 10095
10h
Worldway ElectronicsFQP6N8018 5637Tube
9h
AnlinkdaFQP6N8024 175
17h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQP6N80.

IHS

Datasheet8 pagesIl y a 25 ans
Datasheet0 pageIl y a 0 an

element14 APAC

Fairchild Semiconductor

Farnell

iiiC

Modèles CAO

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SOURCEECADMCADFICHIERS
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SymboleEmpreinte
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP7NK80Z
N-channel 800 V, 1.5 Ohm typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 package
Détails
STMicroelectronicsSTP9NK70Z
N-Channel 700V - 1Ohm - 7.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Détails
STMicroelectronicsSTP6NK90Z
N-channel 900 V, 1.56 Ohm, 5.8 A TO-220 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQP6N80 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):1.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:158W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:5.8A; On State Resistance Max:1.95ohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:158W; Power Dissipation Pd:158W; Pulse Current Idm:23.2A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
element14 APAC
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:5.8A; Resistance, Rds On:1.95ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220; Termination ;RoHS Compliant: Yes
Newark
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
Fairchild Semiconductor

Images

Farnell
iiiC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQP6N80.