STMicroelectronics STP80NF55-06
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP80NF55-06 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP80NF55-06 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 55 V, 3-PIN TO-220
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A TO-220 STripFET(TM) II Power MOSFET
80 A 55 V 0.0065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N Channel, 55V, 80A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:80A; On Resistance Rds(On):0.0065Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP80NF55-06
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.5 mΩ
Resistance6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant