STMicroelectronics STP140NF55
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP80NF55-08
N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - TO-220 StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP80NF55-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP140NF55 fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II MOSFET
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 142nC@ 10 V 1individualNChannel 55V 8m¦¸@ 40A,10V 80A 5.3nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation P
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant