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STMicroelectronics STP4NK60Z

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220
$ 0.795
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
STP4NK60Z
93
1
USD
1,980
1,530
1,010
0,723
0,537
Verical
2
STP4NK60Z
1 350
50
USD
1,047
0,652
0,652
Arrow Electronics
2
STP4NK60Z
1 350
50
USD
1,044
0,650
0,650
TME
2
STP4NK60Z
16
1
USD
1,910
1,350
0,950
0,740
0,680
3h
Future Electronics
2
STP4NK60Z
0
50
Tube
USD
0,930
0,880
0,835

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STP4NK60Z.

Future Electronics

Datasheet16 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP5NK50Z
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Détails
STMicroelectronicsSTP5NK60Z
N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Détails
STMicroelectronicsSTP5N62K3
N-channel 620 V, 1.28 Ohm typ., 4.2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Détails
onsemiFDP5N60NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 4A, 2Ω, TO-220
Détails
onsemiFDP5N50NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 500 V, 4.5 A, 1.5 Ω, TO-220
Détails
InfineonIPP60R1K4C6XKSA1
28.4W(Tc) 20V 3.5V@ 90¦ÌA 1.1nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.1A,10V 3.2A 200pF@100V TO-220 9.45mm
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STP4NK60Z fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronics
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 2ohm; 70W; -55+150 deg.C; THT; TO220
Maritex
STP4NK60Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN TO-220
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
600 V, 4 A, 1.76 OHM N-CHANNEL SUPERMESH POWER MOSFET IN TO-220 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd
Farnell
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP4NK60Z
Newark

Images

RS
DKO Electronshik
Newark
TME
Lanka Micro
LZChips
LCSC
iiiC

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics