STMicroelectronics STP20NM60FD
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP20NM60FD fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
N-CHANNEL 600V 0.26 Ohm 20A TO-220 FDmesh™ POWER MOSFET
STP20NM60FD N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 600 V, 3-PIN TO-220
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation P
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:20A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):290Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:4V |Stmicroelectronics STP20NM60FD
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation192 W
Rds On Max290 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant