STMicroelectronics STP20NF20
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
InfineonBUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP20NF20 fournies par ses distributeurs.
N-channel 200 V, 0.10 Ohm typ., 18 A StripFET Power MOSFET in TO-220 package
STP20NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 200 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
200V 18A 110W 125m´Î@10V10A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=200 V, 18 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance940 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max125 mΩ
Resistance125 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant