STMicroelectronics STP19NF20
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP19NF20 fournies par ses distributeurs.
N-channel 200 V, 0.11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET in TO-220 package
STP19NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15 A, 200 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
200V 15A 160m´Î@10V7.5A 25W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power MOSFET Transistors N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 200V, 15A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:15A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:90W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance800 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant